较早公告: 试验用水对淋雨试验箱非常重要淋雨试验箱对环境试验有着重要的影响,相对的就是试验用水对淋雨试验箱也存在着重要的影响,试验用水可以直接或间接致使淋雨试验箱无法正常工作。那试验用水对淋雨试验箱在具体在哪些方面会造成影响?对试件的影响:需要蒸馏水或去离子水:有的试件的水试验会在试验期间或者在喷雾后紧接着进行电气测量。电气测量包括了外表面以及内表面(内表面被通风孔或缝隙进入的水弄湿),在以上这两种情况之下,需要保证淋雨试验箱的水部会不会正常导电;对试验设备的影响:需要处理对供水进行过滤或软化:若试验设备所
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航天器件可靠性质量保证措施
点击次数:210 发布时间:2018-12-28

高低温湿热试验箱 适用于对产品(整机)、零部件、材料进行高温、低温、高低温循环试验,以及恒定湿热和交变湿热试验。本试验箱可用于散热试验样品和非散热试验样品的试验。对于散热试验样品的试验,其散热功率不能超过试验箱制冷量,因制冷量为动态值,其随温度点变化而有所变化,同时,较高湿度也会因散热产品带来热量须冷却平衡时引起凝露而受到影响。

高低温湿热试验箱 标 准:

GB10589-89 低温试验箱技术条件;GB10592-89 高低温试验箱技术条件;

GB11158高温试验箱技术条件;GB/T10586-89 湿热试验箱技术条件;

GB/T2423.1-2008 低温试验箱试验方法;GB/T2423.2-2008 高温试验箱试验方法;GB/T2423.3-2006 湿热试验箱试验方法;

GB/T2423.4-2008 交变湿热试验方法 ;GB/T2423.22-2002 温度变化试验方法;IEC60068-2-1.1990 低温试验箱试验方法;

IEC60068-2-2.1974 高温试验箱试验方法; GJB150.3 高温试验;GJB150.4 低温试验;   GJB150.9 湿热试验;

高低温湿热试验箱 技术规格:

型号

SEH-150

SEH-225

SEH-408

SEH-800

SEH-1000

工作室尺寸(cm)

50×50×60

50×60×75

60×80×85

100×80×100

100×100×100

外形尺寸(cm)

115×75×150

115×85×165

130×105×170

165×105×185

170×125×185

温度范围

0℃/-20℃/-40℃/-70℃~+100℃/+150℃/+180℃

温度均匀度

≤2℃

温度偏差

±2℃

温度波动度

≤1℃(≤±0.5℃,按GB/T5170-1996表示)

升温时间

+20℃~+150℃/约45min (空载)

降温时间

+20℃~-20℃/30min/ +20℃~-40℃/50min/ +20℃~-70℃/60min/(空载)

湿度范围

(10)20~98%RH

湿度偏差

±3%(>75%RH), ±5%(≤75%R上)

温度控制器

中文彩色触摸屏+ PLC控制器(控制软件自行开发)

低温系统适应性

独特的设计满足全温度范围内压缩机自动运行

设备运行方式

定值运行、程序运行

制冷系统

制冷压缩机

进口全封闭压缩机

冷却方式

风冷(水冷选配)

加湿用水

蒸馏水或去离子水

安全保护措施

漏电、短路、超温、缺水、电机过热、压缩机超压、过载、过流

标准装置

试品搁板(两套)、观察窗、照明灯、电缆孔(Ø50一个)、脚轮

电源

AC380V  50Hz 三相四线+接地线

材料

外壳材料

冷轧钢板静电喷塑(SETH标准色)

内壁材料

SUS304不锈钢板

保温材料

硬质聚氨脂泡沫

航天器件的可靠性一直被大家称颂,除了“不惜血本”投入外,在可靠性设计与质量保证方面也有独到的经验。本文结合卫星用DC/DC变换器研制过程中的情况,探秘可靠性设计方法,以及航天元器件质量保证方法。

 

卫星用DC/DC变换器的高可靠和长寿命,是确保其完成飞行使命的基本条件之一。但人们对DC/DC变换器可靠性的认识通常集中在元器件固有质量或产品组装工艺缺陷方面,往往忽略了系统设计(包括技术方案和电路拓扑设计、输入/输出接口设计、环境试验条件适应性设计等)缺陷和电压、电流和温度应力对可靠性的影响。  

据美国海军、电子实验室的统计,整机出现故障的原因和各自的百分比如表1所示。  

 

日本的统计资料表明,可靠性问题的80%来源于设计方面(日本把元器件的选型和质量等级的确定以及元器件的负荷能力等都归入设计上的原因)。国产星用DC/DC变换器虽然在轨试验中尚未出现失效现象的历史记录,但在地面试验中,已经有过不少的故障归零报告,基本上属于设计缺陷。  
以上统计数据表明,控制和减少由于技术方案选择、电路拓扑设计以及元器件使用设计原因所造成的DC/DC变换器故障,具有重要意义。  

DC/DC变换器供电方式的选择  

DC/DC变换器供电方式的不同,对整个供电系统的可靠性有重大影响。卫星用DC/DC变换器的配电系统一般有两种方式:集中式供电和分布式供电。  

集中式供电的优点是DC/DC变换器数量少,有利于控制和减少电源的体积和重量,同时简化了一次电源到DC/DC变换器之间的重复布线。缺点是电源的多负载,很难保证电源的输出伏安特性满足每个负载的要求。  

分布式供电系统的优点是DC/DC变换器靠近供电负载,在减小传输损耗的同时提高了动态响应特性,这是解决低压大电流(如2V/20A)问题的必须和WEI一技术途径。这种供电方式的基本特征是将负载功率或负载特性分解,分担给多个、电源模块来承担。  

从可靠性模型上来说,分布式供电系统的多个DC/DC变换器属于可靠性并联系统,容易组成N+1冗余供电,扩展功率也相对容易。所以,采用分布式供电系统,能够满足航天电源产品的可靠性方案设计要求。目前,国产卫星DC/DC变换器拓扑结构,基本上实现了从分系统共用一个结构模块电源的集中供电方式,过渡到采用通用化、模块化、小型化的“三化”电源产品的分布式供电。  

因此综合考虑用电系统的具体需求,选择合理的供电方式对提高DC/DC变换器供电系统的可靠性具有至关重要的意义。  

电路拓扑的选择与设计  
可供卫星DC/DC变换器功率变换选用的基本电路拓扑有8种,分别是单端正激式、单端反激式、双单端正激式、推挽式、双正激式、双管正激式、半桥式、全桥式。  

前6种拓扑功率开关管在关闭时要承受2倍输入电压。考虑到输入电压的变化范围和电磁干扰电压峰值,并要留有一定的安全余度,功率开关管的耐压值,需要达到输入额定电压的4倍以上。例如,当输入母线电压+42V时,功率管的漏源电压应该为200V。  

推挽和全桥拓扑有可能出现单向磁偏饱和现象,主要是两路功率开关轮流导通时不完全对称,使充磁和退磁的两个伏秒面积不等而造成的。一旦出现该现象,一只功率管会首先损坏。近年来,在国外对推挽拓扑的单向磁偏所进行的专题研究中,发现功率开关采用性能参数一致性好的MOSFET,就可以消除单向磁偏饱和现象。原因是MOSFET的导通损耗具有正温度特性,可实现自动温度平衡的功能,将自动维持两管伏秒面积的等值性。这些结论,我们已经在多颗卫星DC/DC变换器试验中得到了验证,应该说只要实施有效的可靠性技术措施,推挽拓扑的大电流、率、高可靠优势会充份地发挥出来。  

理论分析和实践结果表明,半桥拓扑具有自动抗不平衡的能力。一般认为,500W以下,双管正激和半桥拓扑具有较高的安全性和可靠性。  

单端反激拓扑不适用于负载电流大范围变化的情况,空载时的输出电压也会明显增高。目前,国内外广泛采用外接电阻负载克服空载失控现象,但这会降低电源效率。由于电源输出功率与外接电阻值成反比关系,因此,单端反激拓扑只适用于输出功率较小的场合。
失效模式及影响分析(FMEA) 
失效模式及影响分析是指,在产品设计过程中,对组成产品的所有部件、元器件可能发生的故障造成的影响进行分析,并规划纠正措施。  

元器件的故障模式参照GJB电子设备可靠性预计手册。分析中不考虑无关的双重故障,但考虑单一故障引起的连锁影响,即二次故障。  

由于航天器DC/DC变换器的高可靠要求,供电系统不允许单点故障的存在,因此一般要考虑备份冗余设计。但不是说考虑了备份冗余以后,进行FMEA的结果就不存在单点故障。因为,往往表面上看不是单点故障的失效模式,深入分析后就会发现由于共阴模式的存在而导致单点失效。  

例如,某DC/DC变换器主要功能电路如图1所示。  

 

DC/DC变换器电路框图  

按照图1所示的DC/DC变换器电路原理框图,建立相应的可靠性计算模型。  

DC/DC变换器可靠性框图  

其中,λ1、R1为输入滤波电路的失效率、可靠度;λ2、R2为主电路的失效率、可靠度;λ3、R3为输出滤波电路的失效率、可靠度。可靠性模型中的主电路内部各功能电路为串联结构。  

所示可以计算其可靠度。  

RS=R1·R2·R3    (1)  

其可靠度计算结果为(45℃,3年):0.993 14。  

如果对上述DC/DC变换器进行备份冗余设计后,其电路如图3所示。  

备份冗余后DC/DC变换器电路框图  

建立相应的可靠性计算模型图。  

其中,λ1、R1为输入滤波电路的失效率、可靠度;λ2、R2为主备份电路的失效率、可靠度;λ3、R3为输出滤波电路的失效率、可靠度。可靠性模型中的主电路内部各功能电路为串联结构。  

可以计算其可靠度。  

RS=R1·[1-2(1-R2)]·R3    (2)  

计算结果为(45℃,3年):0.999 65。  

可见,进行备份冗余设计后,DC/DC变换器的可靠度可以大大提高。  

降额设计  

因电子产品的可靠性对电应力和温度应力较敏感,故而降额设计技术对电子产品则显得尤为重要,成为可靠性设计中必不可少的组成部分。按照GJBZ35-93的要求,航天器所用元器件的所有参数必须实施Ⅰ级降额。  

DC/DC变换器中所用元器件种类较多,有阻容器件、大功率半导体器件、电感器件、继电器、保险丝等,针对不同器件要分析需要降额的所有参数,且要综合考虑。而且,对同一器件不同参数做降额时要考虑参数之间的相互影响,即一个参数作调整时往往会带  

来其他工作参数的变化。对半导体器件,即使是各参数均降额了,终还要归结到结温是否满足降额要求。  

降额设计要建立在对电路工作状态认真分析的基础上,确认达到预期效果。例如,对电容器额定电压的降额,由于器件特性的差异(如漏电流、RSE等),简单串联后并不能完全满足降额要求。  

热设计  

产品研制经验告诉我们,热应力对电源可靠性的影响往往不亚于电应力。电源内部功率器件的局部过热,包括输出整流管的发热,很可能导致失效现象发生。当温度超过一定值时,失效率呈指数规律增加,当达到极限值时将导致元器件失效。国外统计资料指出,温度每升高2℃,电子元器件的可靠性下降10%,器件温升50℃时的寿命只有温升25℃时的1/6,足见热设计的必要性。电源热设计的原则有两个:一是提高功率变换效率,选用导通压降小的元器件简化电路,减少发热源。二是实施热转移和热平衡措施,防止和杜绝局部发热现象。  

由于卫星所处空间环境的影响,散热方式只有辐射和传导,且由于安装位置的影响,DC/DC变换器一般主要通过传导进行散热,也就是通过机壳安装面,将DC/DC变换器产生的热量经设备结构传导到设备壳体,再由设备安装面传导到卫星壳体,由整星进行温控。  

1 MOSFET热耗控制  

MOSFET的热耗主要来自导通损耗、开关损耗两部分。导通损耗是由于MOSFET的导通电阻产生的,开关损耗是由MOSFET的开启和关断特性产生的,而MOSFET的开启和关断特性取决于MOSFET的器件参数(如输入电容)、驱动波形、工作频率、电路寄生参数等因素。  

开关损耗的控制主要有以下几点。  

①针对不同的MOSFET设计各自的栅极驱动,加速MOSFET的开启和关断。另外,通过驱动加速电容,使得驱动波形的上升沿时间缩短。  

②综合考虑设计合理的工作频率。  

③通过变压器绕制工艺设计,控制变压器的漏感,进而减小MOSFET的漏源极电压尖峰。如反激型变压器设计就采用“三明治”式绕法,即初级绕组先绕一半,再绕次级绕组,绕后再将初级绕组剩余的匝数绕完,后将次级绕组包裹在里面,这样漏感小。   

④通过吸收电路的设计,进一步控制由于变压器漏感引起的MOSFET漏源极电压尖峰。设计原则是吸收电路的自身损耗较小且尽可能有效地控制电压尖峰。  

一般通过上述电路设计,MOSFET热耗可以达到比较理想的结果。  

2 变压器热耗控制  

变压器热耗主要来自磁滞损耗、涡流损耗和电阻损耗。磁滞损耗与变压器绕组和工作方式有关,可以由公式(3)表示。涡流损耗是由磁芯内环流造成的;电阻损耗是由变压器绕组电阻产生的,分直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗两种。  

Peddy≈khVefSWB2MAX    (3)  

式中,Kh——材料的磁滞损耗常数;  

Ve——磁芯体积,单位为cm3;  

fSW——开关频率,单位为Hz;  

BMAX——工作磁通密度的大偏移值,单位为G。  

对磁滞损耗的控制设计中主要有以下几点。  

① 设计比较合适的工作频率;  

② 合适的初级绕组匝数;  

③ 工作磁通密度的大偏移值的降额设计。  

在电阻损耗的控制设计中,尽量采用多股线替代单根线,从而将变压器磁芯绕满。  

3 输出整流电路热耗控制  

输出整流电路的热耗主要由整流二极管产生,整流二极管热耗主要来自导通损耗、开关损耗两部分。对于导通损耗的控制设计主要是根据输出电流和工作频率选择合适的整流二极管,如快恢复二极管或肖特基二极管。  

对于开关损耗的控制主要有以下几点。  

①选择反向恢复特性好的整流管;  

②通过吸收电路的设计,控制整流管反向电压尖峰。  

卫星DC/DC变换器的可靠性分析与计算  

产品的可靠性取决于产品的失效率,而失效率随工作时间的变化具有不同的特点。根据长期以来的理论研究和数据统计可发现,由许多元器件构成的机器、设备或系统,在不进行预防性维修时,或者不可修复的产品,其失效率曲线的典型形态相似于浴盆的剖面,所以又称为浴盆曲线(Bathtub-curve)。  失效率明显地分为三个不同的阶段或时期。段曲线是元件的早期失效期,表明元件在开始使用时的失效率很高,但随着产品工作时间的增加,失效率迅速降低,属于递减型——DFR(Decreasing Failure Rate)型。其失效原因大多属于设计缺陷、制造工艺缺陷和元器件固有缺陷一类。为了缩短早期失效的时间,产品应在投入运行之前进行试运转,以便及早发现、修正和排除缺陷;或通过试验进行筛选和淘汰次品,以便改善其技术状态。  
第二阶段曲线是元件的偶然(也称随机)失效期,特点是失效率低且稳定,可近似看做常数,失效属于恒定期——CFR(Constant Failure Rate)型。产品的可靠性指标所描述的就是这个时期,它是产品的良好使用阶段。产品的寿命试验、可靠性试验一般都是在偶然失效期进行的。  
产品的失效是由多种不太严重的偶然因素引起的,通常是产品设计余度不够造成随机失效。研究这一时期的失效原因,对提高产品的可靠性具有重要意义。因为在这一阶段中,产品失效率近似为一个常数。  

第三段曲线是元件的损耗失效期,失效率随时间延长而急速增加,元件的失效率属于递增型——IFR(Increasing failure Rate)型。到了此时,元件损伤严重或已经疲劳,寿命即将结束。  

一般在进行可靠度预计时,进口元器件失效率数据参考MIL-HDBK-217F,国产元器件失效率数据参考GJB/Z 299C。 
航天电子元器件的质量保证
  元器件的质量保证是航天产品质量保证的重要组成部分,包括生产过程的质量保证和非生产过程的质量保证(或称应用领域的质量保证)两部分。元器件质量保证流程包括:选用、采购、监制、下厂验收、到货检验、补充筛选、特殊试验、发放、贮存和传递、装联、调试、整机现场使用、失效分析、质量反馈等过程。
(1)元器件保证大纲
  航天产品方案论证阶段结束后应编制元器件保证大纲,作为产品研制阶段组织实施和监督检查元器件保证工作的依据。元器件保证大纲在各个研制阶段有不同的内容和要求,因此,各个研制阶段需要修订元器件保证大纲。首先要落实元器件保证大纲应包括的主要内容,明确拟制单位以及检查执行情况的方法。
(2)元器件的合理选用  根据元器件在电路中的使用特性进行设计分析并合理选用元器件,是航天产品元器件可靠性的基础。要明确设计师系统选用元器件的基本准则,如降额使用、容差设计、质量等级以及质量等级的继承性等。特别要考虑航天产品用元器件的特殊环境适应能力,例如热设计方案、静电敏感元器件静电敏感度的选择和半导体器件的辐射强度保证(RHA)等级的选择。设计师系统在依照元器件选用准则选择元器件时,应SOU选型号产品优选目录内的元器件,如选用目录以外的厂点和产品时,必须按航天产品的规定填写选用目录外电子元器件申请表并签署完整后,上报总体单位,经总体单位评审、批准返回后方可选用。
(3)规范采购与库存管理  按照航天系统要求,元器件采购必须按照“走规定渠道,赶阶段计划,抓质量保证”的原则,由有关厂(所)编制元器件采购文件,经型号总体组织专门审查。然后,型号总体统一组织有关厂(所),按照通过审查的采购文件签订订货合同。元器件采购应贯彻“保证质量,控制进度,节省经费,尽量集中”的方针,变单纯买卖元器件为积极主动参与元器件的质量管理。要明确采购文件的组成、采购清单的评审要求和采购标准或规范的主要内容。 元器件的库存管理直接关系到元器件的使用质量,因此要明确元器件的贮存条件、库房的管理要求,建立元器件发放制度,提出对失效元器件的管理要求。
(4)元器件的监制、试验和验收  按《中国航天工业总公司航天型号用元器件质量管理规定》要求,元器件质量管理必须全面贯彻“统一组织、源头抓起、严格管理、照章办事”的原则,元器件质量管理工作实行总公司、型号总体院(基地)和厂(所)三级管理,以型号总体院(基地)为主的原则。型号总体院(基地)必须对型号配套的所有分系统用元器件的质量进行统一监控。由航天科技集团公司电子元器件可靠性中心具体实施管理,把好电子元器件入口关、检验关、使用关。其主要职责为:负责电子元器件下厂监制和验收、到货检验、补充筛选、签发装机合格证、失效分析等;负责电子元器件可靠性数据的采集和处理,并及时向用户反馈电子元器件质量信息;按照航天总体的其他规定实施电子元器件质量控制。元器件的生产、试验和验收,是保证元器件质量的重要环节,也是航天产品元器件可靠性的关键控制点,其过程控制的好坏决定了元器件的固有质量。电子元器件按功能划分,有电子元件、分立器件和微电路等;按采购渠道划分,有进口和国产元器件之分;按产品成熟性划分,有货架产品和新品器件。不同元器件有不同的控制要求,在下厂监制和验收、到货检验时应有不同的处理方法和程序。因此,应将元器件分门别类地进行划分,规定各类元器件的监制方式、特殊试验要求和验收办法,并明确相应的程序和执行单位或部门。
(5)补充筛选(二次筛选)管理  对于验收合格的元器件,必须根据实际产品对元器件质量控制要求进行补充筛选(二次筛选),按照不同产品的不同阶段明确补充筛选的要求、委托单位、委托程序和补充筛选后元器件的处理办法。
(6)破坏性物理分析  元器件DPA(破坏性物理分析)的主要目的是要防止有明显或潜在缺陷的元器件装机使用。除用于元器件的质量鉴定外,在航天产品中,还用于元器件的验收、装机前元器件的质量复查、元器件超期复验以及元器件的失效分析。在一般产品上,DPA通常用于已装机元器件的质量验证。在航天产品上,DPA必须在元器件装机以前完成,因此,需明确航天产品用元器件进行DPA的时机、DPA的试验项目、实施DPA的机构、DPA的数据记录要求和DPA结果的处理方法。
(7)元器件的装机控制  元器件在装配过程中的质量控制也是元器件可靠性控制的重要环节之一。必须对操作和检验提出明确的控制要求,特别是对于装配、调试过程中出现的失效元器件,一定要详细规定处理程序、处理方法和责任部门,以确保装配、调试过程中元器件的质量控制。
(8)元器件的失效分析方法  元器件失效分析的主要任务是对失效的元器件进行必要的电、物理、化学的检测,并结合元器件失效前后的具体情况及有关技术文件进行分析,以确定元器件的失效模式、失效机理和造成失效的原因。通过失效分析可以发现失效元器件的固有质量问题,也有可能发现元器件因不按规定条件使用而失效的使用质量问题,通过向有关方面反馈,促使责任方采取纠正措施,提高元器件的固有质量或使用质量。相对来说,失效模式的确定比较简单,而确定失效机理的难度较大,分析人员必须掌握元器件的设计、工艺和有关的理化知识,并有一定的实践经验。此外,还要具备较复杂的仪器、设备。在明确失效机理后,还必须找出失效原因,才能避免重复失效,提高元器件的固有质量或使用质量。但根据失效机理确定失效原因,往往涉及失效现场和责任人等具体情况,确定起来有相当大的难度。因此,首先要确定进行失效分析的单位,规定提交失效分析的程序和失效信息,以及产品研制各阶段失效元器件的失效信息记录要求等,然后,根据失效分析的结论,对引起失效的原因进行归零处理。若为设计缺陷,应和生产厂家一起找出问题所在并进行改进;若为操作失误,必须严格操作规范,避免引入人为的失误。从而达到失效分析的目的,使器件制造和生产操作更上一个台阶。
(9)元器件质量信息的管理  在元器件选用、采购、监制和验收、筛选和复验以及失效分析5个质量保证环节中,存在大量的元器件质量信息,例如,选用目录外元器件的规格、型号、生产厂商、质量等级以及在航天产品上的使用情况;国内新品器件的研制厂家及新品器件使用情况;进口器件的质量保证情况;元器件失效分析报告和处理情况等。这些信息对于从事航天产品研究的单位来说都是极大的财富,应该建立起航天产品元器件信息库,以积累宝贵的经验,为后续航天产品的的研制提供服务。要建立航天产品元器件信息库,就要明确管理信息库的相应部门,规定信息库中收集、处理和保管元器件信息的种类、保管信息的时间、提供信息的方法。

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